Samsung, HBM talebindeki patlamayı önceden öngörerek, NRD-K2 hattını cHBM ve HBM5 temel çipleri için üretim kapasitesini genişletmek üzere dönüştürmeyi planlıyor.

BlockBeats haberine göre, 14 Ağustos'ta analist Jukan, Güney Kore medyasına atıfta bulunarak Samsung Electronics'in, HBM için kullanılan 2nm temel çiplerini üretmek üzere 2nm kapasitesini genişletmek amacıyla Giheung'daki yeni nesil yarı iletken Ar-Ge kampüsü NRD-K Hat 2'nin kullanım amacını Ar-Ge'den döküm hattına değiştirmeyi düşündüğünü, özellikle NVIDIA gibi müşterilerin cHBM ve HBM5 taleplerine odaklanıldığını belirtti. Bu hattın 2028'in ikinci yarısında devreye alınması ve Send Fab modunda işletilmesi bekleniyor; diğer seri üretim hatlarından wafer alınarak yalnızca belirli proses adımlarında yardımcı döküm gerçekleştirilecek. NRD-K, Samsung'un yaklaşık 20 trilyon KRW yatırım yaptığı en gelişmiş karma Ar-Ge kampüsü olup toplam 3 üretim hattı planlanmıştır; bunlardan Hat 1, 2024 sonunda tamamlanmıştır.

Bu ayarlamanın arkasında, Samsung'un AI altyapısının HBM talebinde yaratacağı patlamaya yönelik erken konumlanması yatmaktadır. Custom HBM ve HBM5'te öncelikli olarak 2nm prosesini benimseyen Samsung, gelişmiş paketleme temel çiplerindeki performans rekabetinde avantajını korumayı hedeflemektedir. Sektör içi görüşlere göre bu hat nispeten küçük ölçekli olup Send Fab rolü için uygundur, ancak devreye alınmasına hâlâ yaklaşık iki yıl vardır ve nihai kullanım amacı piyasa koşullarına göre değişebilir; ekipman satın alma siparişleri henüz resmi olarak verilmemiştir. Daha önce bu hattın DRAM seri üretimi için değerlendirildiği, şimdi ise DRAM kapasitesinin daha da Pyeongtaek kampüsünde yoğunlaştırıldığı belirtilmiştir. Samsung'un bu üretim hattı değişikliği, HBM temel çiplerinin özelleştirilmesi ve ileri proses teknolojisine geçiş eğilimini daha da doğrulamaktadır.