Intel, 1.4 nanometre işleminde çift taraflı güç besleme mimarisini kullanmayı düşünüyor, böylece TSMC ve Samsung'u yakalamayı hedefliyor.

BlockBeats Haberi, 5 Temmuz - Intel, 1.4 nanometre sınıfı ultra ince üretim sürecinde hem ön hem de arka yüzden güç sağlayan bir mimari kullanmayı değerlendiriyor ve rakiplerine yetişmeyi hedefliyor. Sektör kaynaklarına göre Intel, başlangıçta 1.4 nanometre sınıfı temel süreç 14A'da yalnızca arka yüzden güç sağlayan PowerDirect teknolojisini kullanmayı planlıyordu, ancak sonraki süreç 14A2'de hem ön hem de arka yüzü kullanan Dual side mimarisini entegre etmeyi değerlendiriyor.

Intel daha önce açıkladığı plana göre, 14A sürecinde 18A'ya kıyasla çip yoğunluğunu 1,3 kat artıracak; 14A sürecinde hedef M0 aralığı yaklaşık 28 nanometre iken, 14A2 süreci yarı düğüm iyileştirmeleriyle M0 aralığını 21 nanometreye düşürebilir. Intel, arka yüzden güç dağıtım ağını ana yapı olarak korurken, ön yüzdeki bazı metal bağlantıları yardımcı güç ve Clock sinyali amaçları için yeniden tahsis ederek, küçülme ve pozlama sınırlamalarından kaynaklanan güç marjı eksikliğini telafi etmeyi planlıyor.

Intel'in 14A sürecinin 2028'de risk üretimine girmesi ve 2029'da seri üretime geçmesi planlanıyor. Intel'in bu yıl Ekim ayında harici müşterilere 14A sürecinin 0.9 sürümü süreç tasarım kitini yayınlaması ve ardından 18 ay içinde büyük fabrikasız yonga şirketlerinden kesin sipariş alması gerekiyor. Karşılaştırma yapmak gerekirse, TSMC 2028'de gerçek 1.4 nanometre A14 ürünlerini sevk etmeyi planlarken, Samsung Electronics de 2027'de arka yüzden güç teknolojisini kullanan 2 nanometre iyileştirilmiş süreç SF2Z'yi ticarileştirmeyi planlıyor.