BlockBeats haberine göre, 9 Eylül'de Seul Ekonomi Gazetesi'nin bildirdiğine göre Samsung Electronics, dünyanın en büyük litografi ekipmanı üreticisi ASML ile birlikte yüksek açıklıklı (High-NA) aşırı ultraviyole (EUV) litografi teknolojisi geliştirecek. Samsung, 1980'lerden bu yana kullanılan 6 inçlik fotomaske plakalarını 12 inçlik versiyona geçirmeyi amaçlayan ve sektör standardını değiştirmeye yönelik bir çalışmaya katılıyor ve yüksek NA EUV ekipmanlarına dayalı DRAM seri üretim sistemini ilk kuran olmayı hedefliyor.
Samsung, 2028'den itibaren yüksek NA EUV ekipmanlarını DRAM üretiminde kullanmayı planlıyor ve ardından bu teknolojiyi 1.4 nanometrelik ileri düzey mantık sürecine genişleterek wafer döküm işini ilerletmeyi hedefliyor. Maske plakası boyutunun büyütülmesi, EUV teknolojisinin sınırlamalarını telafi etmeyi amaçlıyor. Yüksek NA EUV'nin sayısal açıklığı geleneksel EUV'den %66 daha yüksek olup daha ince devre desenleri oluşturabiliyor. Mevcut 6 inçlik maske plakalarının 12 inçlik versiyonlarla değiştirilmesi, wafer fabrikası üretim verimliliğini artırabilir ve çip üretim maliyetlerini düşürebilir.
